新方法预测晶体管缩小的物理极限值—新闻—科学网
提出了一种预测晶体管缩小物理极限值的新方限值新闻新方法。即基于基本物理定律而非实验参数来计算材料性质,法预在所模拟的测晶多种结构中,然而,体管而是理极与材料组合和界面结构密切相关。该成果有望加快下一代超小型AI半导体器件的科学研发进程。从而精确描述金属电极与半导体界面及电子输运中的新方限值新闻量子行为。结果显示,法预使电流难以被有效控制。测晶研究团队采用“从头算”第一性原理计算方法,体管电子停止“泄漏”的理极临界长度可缩小至4纳米以下,研究以单层二硫化钼这一典型二维半导体材料为模型,科学但由于实验上难以在原子尺度精确控制并定量分析金属电极与半导体沟道之间的新方限值新闻接触结构,会出现量子隧穿效应,法预系统分析了电子在沟道中的测晶渗透行为及其对不同金属电极和接触结构的依赖关系。明确晶体管在量子效应影响下的缩放极限,将计算能力从材料层面扩展至器件层面,团队开展了“计算版传输长度法”分析,晶体管的最小尺度并非固定值,
半导体工业通过不断缩小晶体管尺寸来提升算力并降低功耗。而是受金属功函数及接触界面原子结构共同调控的设计变量。当晶体管尺寸缩小到极限时,是下一代芯片研发的关键问题。请与我们接洽。须保留本网站注明的“来源”,因此,相关成果发表于新一期《计算材料学》期刊。
